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    Product laser

    產品中心
    晶圓激光隱切設備
    產品簡介
    該設備可通過精密控制及激光內部改質技術,使得晶圓切割后裂片擴膜成單顆小芯片,以便實現后續的晶圓封測。
    產品特點

    兼容性好,可同時切割4~12寸及不同厚度的晶圓

    支持藍寶石、硅、碳化硅、鉭酸鋰等襯底材質

    良好的定位精度及重復定位精度

    切割質量高,直線度好,無崩邊、裂痕

    切割區域影響小,切割道≤20μm

    應用領域
    Si、Sic等襯底材質芯粒切割
    技術指標
    設備型號 DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
    設備尺寸 2250mm(L) x 1750mm(W) x 2250mm(H)
    適用晶圓尺寸 6寸及以下 8寸、12寸
    適用晶圓厚度 60μm to 400μm
    平臺精度 重復定位精度≤ ±1μm;定位精度<±3μm;
    直線度 ≤5μm
    切割路徑寬度 ≤20μm
    TTV ≤10μm ≤15μm
    應用案例